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DKDP开关
       磷酸二氘钾DKDP（KD*P）晶体光学损耗低，消光比高，电光性能好，通常利用DKDP晶体的纵向效应制成电光调Q开关，主要适用于低重复频率的脉冲固体激光器中。（包括：美容， 医疗，科研，军事和航天等激光领域。）
  • 详情介绍
  • 标准产品
  • 基本性质

  • 山东辰晶光电致力于高质量电光调Q开关的研发与生产，可根据客户不同需求定制开关，如高低温环境下应用的温控调Q开关等。


    山东辰晶光电DKDP系列开关的产品特点：


        ● 高含氘量：＞98%

        ● 高消光比 ：5000:1

        ● 低电容 ：3-5pF

        ● 高透过率：＞99%

        ● 高损伤阈值：500MW/cm2

        ● 设计紧凑，便于调节

        ● 良好的密封，延长开关的工作寿命


  • 山东辰晶光电科技有限公司电光开关基础型号:


    型号

    外壳尺寸公差

    (0~-0.1)×(±0.3mm)

    通光孔径

    T%

    消光比

    1/4波电压

    波前畸变

    电容

    QI-8Ga

    Ф19×24

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QI-8Gb

    Ф19×24.7

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QI-8Gc

    Ф19×27.2

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QI-8GPa

    Ф20×29

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QT-8GPa

    Ф28×30

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QL-10DPa

    Ф32×40

    10

    >98%

    >5000:1

    3400V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QL-10DPb

    Ф25×37

    10

    >98%

    >5000:1

    3400V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10Ga

    Ф25.4×32

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10Gb

    Ф21×28.2

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10Gc

    Ф25.4×33

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10GPa

    Ф25.4×39

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QL-11Da

    Ф32×35

    11

    >98%

    >5000:1

    3400V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-12GPa

    Ф28×33

    12

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜6.5pF

    QT-12GPa

    Ф32.5×50

    12

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    抗损阈值：》500MW/cm2，10ns，10Hz @1064nm   

  • 暂无

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